欢迎访问中国焦点新闻网官方网站
设为首页 | 收藏本站
国际新闻 民生新闻
时政新闻 经济新闻
军事新闻 体育新闻
部委信息 政坛人物
时事观察 政策解读
法治生活 法律法规
安全生产 食品安全 生态环保
健康卫生 房产商情 财经在线
娱乐资讯 旅游天下 科技之窗
文化名人 文化产业
中华情缘 书画收藏
报料投稿 查询系统
今天:
您所在的位置:主页 > 专题专栏 >

ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业的数据中心电源模块

时间: 2023-03-03 11:08 作者:admin 来源:未知 点击:

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发的第3代SiC肖特基二极管(以下简称“SBD”)成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”,并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。

https://img2.danews.cc/upload/images/20230302/f7b79ca8d4464843e2c868f91b8b4418.png

近年来,随着以AI(人工智能)和AR(增强现实)等技术为代表的IoT领域的发展,全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言,其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下,SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。

Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示:“通过使用SiC功率器件,可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时,SiC功率器件还可以提高开关频率,因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门,我们此次之所以选择ROHM,除了ROHM产品的可靠性高以外,还在于ROHM的服务支持非常迅速,从试制阶段开始就能提供样品。此外,我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET,相关产品可以满足我们的性能要求。”

Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:“能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持,我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业,在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案,并取得了骄人的业绩。今后,ROHM将继续与Murata Power Solutions携手,通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力,从而进一步提升电源系统的能效。”

<关于Murata Power Solutions>

Murata Power Solutions是一家设计、制造和销售DC-DC电源、AC-DC电源、磁性器件、数字式面板仪表、数据中心解决方案的企业。产品阵容涵盖标准品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的产品广泛应用于通信、计算机、工业控制设备、医疗保健、能源管理系统等全球主要市场领域的电子设备。

如需了解详细情况,请访问Murata Power Solutions的官网: https://www.murata-ps.com/

https://img2.danews.cc/upload/images/20230302/557389dd8801013787d7c97edb06ace1.png

<关于Murata Power Solutions的数据中心电源模块>

Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列产品阵容中新增了高效率功率因数校正型前端电源模块“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等产品,可以实现多个电源模块并联工作。另外,“1U前端”系列还支持热插拔,具有过热、过电流、过电压等异常检测和保护功能。该系列产品不仅可以为服务器、工作站、存储系统等12V电源系统提供高可靠性、高效率的电源,而且产品还具有薄型尺寸(1U),有助于削减系统的安装面积。

<关于ROHM的SiC功率器件>

ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来,作为SiC功率元器件领域的领军企业,一直在推动先进产品的技术开发。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量(QC)小、损耗低且开关速度高的特点。而且,与第2代SBD相比,其抗浪涌电流能力更出色,VF值更低。

<支持信息>

ROHM在官网特设网页中,介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况,同时,还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持资料,欢迎浏览。

SiC功率元器件特设网页: https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

第4代SiC MOSFET相关的支持资料:

・概要介绍视频、产品视频

・应用指南(产品概要和评估信息、牵引逆变器、车载充电器、开关电源)

・设计模型(SPICE模型、PLECS模型、封装和Foot Print等的3D CAD数据)

・主要应用中的仿真电路(ROHM Solution Simulator)

・评估板信息

https://img2.danews.cc/upload/images/20230302/87c0e6dc2fd0118267ab967deef698a8.png

(责任编辑:admin)

国际新闻

更多>>

民生新闻

更多>>

最新文章

推荐文章

关于我们 | 机构介绍 | 报社动态 | 联系我们 | 版权声明 | 招聘信息 | 查询系统
主办:中国焦点新闻网
Copyright©2013 www.zgjdnews.cn Inc. All Rights Reserved.中国焦点新闻网